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北京锦正茂科技有限公司
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公司简介
注册时间:
2013-09-04
联系人:
古龙
电话:
01082556022
Email:
gulong@jinzhengmaoyiqi.com
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产品图片
产品名称/型号
产品简单介绍
实验室霍尔效应测试仪-电磁铁型
JH60A
霍尔效应测试仪-电磁铁型 为本仪器系统专门研制的效应仪将恒流源,六位半微伏表及霍耳测量复杂的切矩阵开关组装成一体,大大减化了实验的连线与操作。
变温霍尔测量系统 低温型
60D
变温霍尔测量系统由电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源高精度电压表、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦,控温仪,系统软件。
教学霍尔测试仪
60C
为本仪器系统专门研制的JH10 效应仪将恒流源,六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体,大大减化了实验的连线与操作。JH10 可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 教学霍尔测试仪
霍尔效应测试系统
60B
用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。
霍尔测试仪
60A
霍尔测试仪本仪器系统用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的
高温霍尔效应系统
JH60E
系统由电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源高精度电压表、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦,控温仪,系统软件。
霍尔效应系统-低温型可变温设备
JH60D
为本仪器系统专门研制的 JH10 效应仪将恒流源,六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体,大大减化了实验的连线与操作。JH10 可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。
霍尔效应系统-可变温测试系统
JH60C
JH10 可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。霍尔效应系统-高低温磁场型
霍尔效应系统-高磁场
JH60B
为本仪器系统专门研制的 JH10效应仪将恒流源,六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体,大大减化了实验的连线与操作。JH10可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。
霍尔效应测试仪
JH60A
用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。
高温霍尔效应测试系统
JH60E
高温霍尔效应测试系统可测试材料: 半导体材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料等 低阻抗材料:石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等 高阻抗材料:半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等
霍尔效应测试系统低温型仪器
JH60D
霍尔效应测试系统-低温型可测试材料: 半导体材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料等 低阻抗材料:石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等 高阻抗材料:半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等
霍尔效应测试系统-高低温磁场型
JH60C
霍尔效应测试系统-高低温磁场型可测试材料: 半导体材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料等; 低阻抗材料:石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等; 高阻抗材料:半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等
霍尔效应测试系统-高磁场
JH60B
JH60B霍尔效应测试系统-高磁场可测试材料: 半导体材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料等; 低阻抗材料:石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等; 高阻抗材料:半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等
霍尔效应测试仪-电磁铁型
JH60A
霍尔效应测试仪-电磁铁型可测试材料: 半导体材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料, 低阻抗材料:石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料, 高阻抗材料:半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等
锦正茂科技低温三维磁场探针台
可以进行真空环境中的高低温测试(10K~325K)。磁场强度在x轴上为0.75T,在Y轴上为0.75 T,在z轴上为0.4T。
高低温探针台半导体光电测试
T8-LY100
1、真空腔体约直径260mm, 2、带有4英寸高透射观察窗,材质熔融石英 3、样品载台直径:50mm 样品载台平整度<5微米
高校科研实验室高低温探针台
T8-LY100
可完成集成电路的电压、电流、电阻以及IV曲线等参数检测,用于低温环境下的芯片、晶圆和器件的非破坏性电学测试。
锦正茂科技 定制高低温探针台
T8-LY100
高低温探针台T8-LY100能够为半导体芯片的电学参数测试提供一个80K-420K高低温测试环境,
芯片测试设备真空磁场探针台
实验测量设备磁场探针台芯片测试半导体仪器 用于高低温真空环境下的芯片测试,材料测试,霍尔测试,电磁输运特性等。
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