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- 产品名称:770nm可调谐激光管
- 产品型号:770nm PH770DBR
- 产品展商:photodigm
- 产品文档:
简单介绍
770nm可调谐激光管是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成,主要应用于K原子冷却、K原子精密谱线研究、K原子泵浦等领域。770nm可调谐激光管线宽小于1MHz、输出功率40-80mW,无跳模调谐范围宽,稳定性好,目前国内外的多家实验室都在使用。DBR激光二极管可以提供多种封装形式:C-mount、CS封装、TO-8封装、蝶形封装、TOSA封装等,调制频率可达6.8GHz(for putting sidebands on the laser)。
产品描述
www.photodigm.com
PH770DBR
770nm系列
高功率、单频输出激光二极管
核心技术:
(1)DBR单频激光芯片;(2)AlGaAs 量子阱有源层。
产品特点:
(1)高功率,单频输出;(2)激光线宽小于1MHz;(3)多种封装形式;(4)无跳模调谐范围宽;(5)使用寿命长;(6)可提供纳秒或皮秒脉冲输出。(7)调制频率可达6.8GHz(for putting sidebands on the laser)。
PH770DBR系列高功率激光二极管是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成。它可以提供衍射极限且单纵模输出的激光光束,主要应用于K原子精密谱线研究等领域。DBR激光二极管将光栅放置于激光有源层的一端,可有效避免二极管工作时电流对光栅造成的冲击,能够充分保证激光二极管的使用寿命和稳定性。另外,DBR激光二极管采用单步分子束外延生长而成,使生产成本更加低廉,并且保证了低内部损耗和高输出功率。
技术参数:
储存温度
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0-80℃
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工作温度
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5-70℃
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正向电流(连续模式输出)
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70-150mA
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正向电流(脉冲模式输出),T=25℃
脉冲宽度:300ns
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0.3A
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激光反向电压
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0.0V
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光电二极管正向电流 1/2/
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5.0mA
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光电二极管反向电压 1/2/
|
20.0V
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光电二极管暗电流,VR=10V,1/2/
|
50nA
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TEC电流 1/2/
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-1.8—1.8A
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TEC电压 1/2/
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-1.9—1.9V
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热敏电阻电流 1/2/
|
1.0mA
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热敏电阻电压 1/2/
|
10V
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连续模式输出技术参数(T=25℃)
中心波长
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770nm(Typ.)
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输出功率
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40、80mW
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斜率效率(蝶形封装)
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0.36W/A
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斜率效率(TO-8封装)
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0.75W/A
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阈值电流
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50mA
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激光二极管电阻值
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2.0Ω
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正向电压
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2.0V
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热敏电阻阻值@25℃,1/2/
|
10KΩ
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光电二极管暗电流,VR=10V,1/2/
|
50nA
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激光线宽
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0.7MHz
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温度调谐系数
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30GHz/℃
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电流调谐系数
|
1.3GHz/mA
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偏振消光比,1/
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-19dB
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光束发散角@FWHM
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6x26°
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边模抑制比
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-30dB(Min)
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激光偏振
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TE
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模式结构
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基模
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1/蝶形封装 2/TO-8封装
注意事项:
此激光二极管是静电敏感器件,操作时请注意接地保护和佩戴静电手环。存储时请将各管脚短接在一起并放入防静电的容器内。
多种封装形式供选择
770nm可调谐激光管LIV曲线
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