技术指标1 测量范围: 电阻率:0.001-200Ω.cm(可扩展); 方块电阻:0.01-2000Ω/口(可扩展);2 可测晶片直径(*大):100mm(配J-2B型手动测试台) 200mm(配J-51型手动测试台)3 恒流源:电流量程分为0.1、1、10、100(mA)四档,各档电流连续可调.误差<±0.3%4 数字电压表:量程:0-199.99mV; 分辨率:10μV显示:四位半红色发光管数字显示;极性、小数点、���量程自动显示。输入阻抗>1000MΩ; 精度:±0.1%.5 *大电阻测量误差(按JJG508-87进行):0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字.6 四探针探头:间距:1±0.01mm;针间绝缘电阻≥1000MΩ;机械游移率:≤0.3%探针压力:TZT-9A/9B: 12-16牛顿(总力) TZT-9C/9D 5-8 牛顿(总力)7 整机不确定度:(用硅标样片测试)≤5% (0.01-180Ω.cm)8 外形尺寸:电气主机:360mm×320mm×100mm;数据处理器:300mm×210mm×105mm9 数据处理器功能:A 键盘控制测量取数,自动进行电流换向,并进行正反向电流下的电阻率(或方块电阻)测量,显示出平均值.测薄片时,可自动进行厚度修正;B 键盘控制数据处理,运算电阻率平均值和电阻率值*大百分变化及平均百分变化;C 键盘控制打印全部测量数据.测量条件、*大电阻率值、*小电阻率值、电阻率*大百分变化及平均百分变化。10 仪器重量:电气主机:约4kg;测试台:约10kg,数据处理器:约2.5kg11 测试环境:温度23±2℃;相对湿度≤65%;无高频干扰;无强光照射。