MOSFET金属氧化层半导体场效应晶体管 - 上海集驰电子科技有限公司

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产品图片	产品名称/型号	产品简单介绍
	MEM2318FG MEM2318FG	MEM2318FG 系列双N 沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。 MEM2318FG 系列适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
	MEM2313 MEM2313	MEM2313系列双P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS 沟道技术。 MEM2313适用于低压应用。 MEM2313的特点： -30V/-6A RDS(ON) =52mÙ@ VGS=-10V,ID=-6A RDS(ON) =67mÙ@ VGS=-4.5V,ID=-4A High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance
	MEM2310X MEM2310X	MEM2310X系列N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS 沟道技术。 MEM2310X适用于低压应用。
	MEM2310M3 MEM2310M3	MEM2310M3的封装: SOT23-3L 。 MEM2310M3系列N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS 沟道技术。 MEM2310M3典型应用： 1、电源管理、 2、高速转换器 3、低功率DC/DC转化器
	MEM2310 MEM2310	MEM2310 系列N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS 沟道技术。 MEM2310 适用于低压应用。
	MEM2309 MEM2309	MEM2309 系列P 沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。 MEM2309 适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
	MEM2307M3G MEM2307M3G	MEM2307M3G 系列双 N 沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。 MEM2307M3G系列适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路.
	MEM2303XG MEM2303X3G MEM2303	MEM2303XG系列P 沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。 MEM2303XG 系列适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路、负载开关、电池保护。
	MEM2303M3 MEM2303M3	MEM2303M3系列P 沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。 MEM2303M3的封装: SOT23-3L
	MEM2302XG MEM2302XG	MEM2302XG系列N 沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2302XG 系列适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
	MEM2302M3G MEM2302M3G	MEM2302M3G 系列适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。 MEM2302M3G：超小封装：SOT23-3L
	MEM2301XG MEM2301XG	MEM2301XG系列P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。 MEM2301XG适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
	MEM2301M3G MEM2301M3G	MEM2301M3G 是P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻.MEM2301M3G 适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。

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