智能型脉冲雷达物位计 ZNTEKFX61

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产品名称：雷达物位计/雷达液位计/雷达料位计/智能导波雷达物位计/智能型脉冲雷达物位计
产品型号：ZNTEKFX61 62 63 64 65 66
产品展商：ZNTeK
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简单介绍

雷达物位计/雷达液位计/雷达料位计/智能导波雷达物位计/智能型脉冲雷达物位计发出的高频微波脉冲沿着探测组件（钢缆或钢棒）传播，遇到被测介质，由于介电常数突变，引起反射，一部分脉冲能量被反射回来。发射脉冲与反射脉冲的时间间隔与被测介质的距离成正比。

产品描述

雷达物位计/雷达液位计/雷达料位计/智能导波雷达物位计/智能型脉冲雷达物位计
一、工作原理
雷达物位计/雷达液位计/雷达料位计/智能导波雷达物位计/智能型脉冲雷达物位计发出的高频微波脉冲沿着探测组件（钢缆或钢棒）传播，遇到被测介质，由于介电常数突变，引起反射，一部分脉冲能量被反射回来。发射脉冲与反射脉冲的时间间隔与被测介质的距离成正比,容器中存在两种不同介质，当上面一层的介质介电常数较小，而下面的介质介电常数较大时，高频微脉冲沿着探测组件传播遇到上层介质时，由于其介电常数较小，因而有极少的能量被这一层介面反射，而大部分能量穿透上层介质继续向下传播，遇到两层的介面时，由于下层介质的介电常数较大，因而会有较大的能量被反射回来。因而导波雷达物位计是可以测量两种不同介质的介面，其测量条件是上层介质不导电或其介电常数比下层介质介电常数小10以上。
二、产品特点
1.对于蒸汽不敏感
即使在烟雾、噪音、蒸汽很强烈的情况下，测量精度也不受到影响。
2.不受介质特性变化的影响
被测介质的密度变化或介电常数的变化不会影响测量精度。
3.粘附：没有问题
在测量探头或容器壁上粘附介质不会影响测量结果。
4.容器内安装物
如果采用同轴套管式的ZNTEKFX，测量完全不受容器内安装物的影响，比如：加热管或支撑物等。不需要特殊调试。
5.可以提供不同形式的ZNTEKFX用于不同应用：'
●缆式一用于测量液体介质或固体介质，量程可达60米
●棒式一用于测量液体介质或固体介质，量程可达6米
●同轴套管一用于测量低黏度的液体介质，不受过程条件的影响，量程可达6米
三、产品选型
ZNTEKFX61
特　　征：抗凝结，抗蒸汽。
应　　用：适用于带挥发性物质或蒸汽的环境下的液体测量（如：焦化行业）；适应过程条件复杂的环境.
量程：30M
测量精度：±10mm
过程连接：G1½A/G2A/1½NPT
探测组件材料：不锈钢316L /PTFE
钢缆/棒直径：Φ4mm、Φ6mm/Φ10mm
过程温度：-40…150℃
过程压力：-1.0…40bar
信号输出：两线制 4…20mA/HART
ZNTEKFX62
特　　征：全四氟密封天线，耐强酸碱腐蚀。
应　　用：量程较短的酸碱罐体。
量程：6M
测量精度：±10mm
过程连接：PTFE法兰
探测组件材料：PTFE
钢棒直径：Φ10mm
过程温度：-40…150℃
过程压力：-1.0…16bar
信号输出：两线制 4…20mA/HART
ZNTEKFX63
特　　征：同轴式导波天线，获得更小的盲区、更强的回波信号。
应　　用：能适应小量程，多蒸汽，小介电常数介质的测量。适应过程条件复杂的环境。
量程：6M
测量精度：±10mm
过程连接：G1½A/G2A
探测组件材料：不锈钢316L /PTFE
同轴外径：Φ28mm
过程温度：-40…150℃
过程压力：-1.0…40bar
信号输出：两线制 4…20mA/HART
ZNTEKFX64
特　　征：带散热的导波雷达天线。
应　　用：液体测量，高温高压工况，复杂过程条件。
量程：缆：30M/棒：6M
测量精度：±10mm
过程连接：G1½A/G2A/1½NPT
探测组件材料：不锈钢316L/陶瓷
缆／棒直径：Φ4mm、Φ6mm/Φ10mm
过程温度：-40…200℃
过程压力：-1.0…40bar
信号输出：两线制 4…20mA/HART
ZNTEKFX65
特　　征：不锈钢316L/陶瓷材料天线,能耐受更高的温度和压力。
应　　用：液体测量，高温高压工况，复杂过程条件。
量程：缆：30M/棒：6M
测量精度：±10mm
过程连接：G1½A/G2A/1½NPT
探测组件材料：不锈钢316L/陶瓷
钢缆直径：Φ4mm、Φ6mm/Φ10mm
过程温度：-200…400℃
过程压力：真空…400bar
信号输出：两线制4…20mA/HART
ZNTEKFX66
特　　征：多缆式导波天线结构，获得更强的回波信号。
应　　用：小介电常数液体及固体测量,复杂过程条件。
量程：缆：30M/棒：6M
测量精度：±10mm
过程连接：G1½A/G2A/1½NPT
探测组件材料：不锈钢316L /PTFE
钢缆直径：Φ4mm/Φ8mm
过程温度：-40…150℃
过程压力：-1.0…40bar
信号输出：两线制4…20mA/HART

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