C61F120可完全替代PIC12F629 C61F120,PIC12F629

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C61F120可完全替代PIC12F629

C61F120 CPU：
• 49条指令，除部分跳转指令外为单周期RISC实现
• 工作速度：
- 振荡器/ 时钟的输入频率为DC~20 MHz
- 指令周期*小为DC~200 ns
• 支持中断处理，6个中断源，8级硬件堆栈
特殊单片机特性：
• 高精度内部振荡器：
- 出厂时精度校准为±1%
-内部固定频率4M
 
• 低功耗的电源休眠模式
• 工作电压范围（2.0V 到5V）
• 工业级温度范围: -40°C 至 85°C
• 上电复位功能（Power-on Reset， POR）
• 欠压检测功能（Brown-out Detect，BOD）
• 带上拉的主复位，可复用为输入引脚
 
存储器
• 非易失性的程序存储器和数据存储器
–  1K 字节的系统内可编程Flash 
–  128字节的EEPROM: 擦写寿命: 1000,000 次
–  EEPROM 可经受100 万次写操作
• 可编程代码保护
• 高耐用性闪存/EEPROM单元：
- 闪存可经受10万次写操作
- 闪存/ 数据EEPROM保存时间：>40 年
• 96 字节的片内SRAM
外设特性：
–  2个通用功能定时器/计数器
–  一个片内模拟比较器
–  内部可编程的参考电压（VDD成比例）
–  具有独立片内振荡器的可编程看门狗定时器
–  引脚电平变化可引发中断及唤醒MCU
 
 
 
ISP 功能
–  在线编程下载功能
 
I/O 口与封装
• 6 个可编程的I/O 口线：
–  *大驱动能力20mA，
–  独立的可编程弱上拉，
–  I/O口具有键盘中断功能
 
• 8 引脚封装:DIP8/SOIC8/TSSOP-8封装
 
功耗
• 正常模式：
-  4 MHz,  2V:    典型值200μA
 
• 掉电模式:  
-  2V， 0.5μA