开机延迟时间测试： 开关电源使用的半导体功率器件，在上电和断电时都会受到冲击。所以需要对开关电源进行电源开关循环试验，测试电源在满载的情况下是否能连续承受开关操作下的冲击，确保电源的耐久性。 测试条件：将被测电源放置在室温环境中，输入电压115Vac/230Vac，输出负载为满载。将被测电源开关ON，持续时间为5s，然后将开关拨到OFF，持续时间5s，重复此过程。一次开关的过程为一个测试周期，整个试验需持续至少5000个周期。试验过程中每完成1000个周期，记录被测开关电源的输入功率和输出电压。待试验结束后，如果待测产品在试验前后的电气性能没有差异，则通过此试验。 这需要测试设备具有足够长的存储，可以在保持较高采样率的情况下进行长期波形捕捉。 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点(控制和响应)，又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用)。若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使晶体管截止。因此，IGBT**可靠与否主要由以下因素决定： • IGBT栅极与发射极、集电极与发射极之间的电压 • 流过IGBT集电极－发射极的电流 • IGBT的结温
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