产品详情
简单介绍：
中图仪器高分辨率共聚焦显微镜自设计之初，便定下了“简单好用"四字方针的目标。仪器整体由一台轻量化的设备主机和电脑构成，控制单元集成在设备主机之内，亦可采用笔记本电脑驱动，实现了“拎着走"的便携式设计。
详情介绍：
在半导体封装测试环节，芯片表面烧蚀弹坑的形貌与深度是评估封装可靠性、分析局部应力释放的核心指标。传统接触式探针易划伤晶圆基底，常规白光干涉仪面对大陡壁粗糙面常出现数据断层，直接影响产线质量判定效率。
VT6100中图仪器高分辨率共聚焦显微镜针对封装产线实测痛点打造，采用尼普科夫转盘共聚焦光学系统，非接触式扫描彻底消除赫兹接触应力风险；*大可测倾角达71.8°，可完整重建1.2-3.5μm深度的垂直陡壁弹坑形貌，0.1nm显示分辨率与≤12nm的Z向重复性精度，可精准输出弹坑三维截面数据。设备支持高频面阵扫描，匹配产线UPPH节拍要求，适用于封装制程弹坑深度批量检测、失效分析溯源、工艺参数优化等核心场景，为IC封装质量管控提供稳定可靠的计量支撑。
针对芯片弹坑大陡壁、粗糙面的测量难题，中图仪器高分辨率共聚焦显微镜从核心性能参数上实现**突破，各项指标均优于行业常规检测方案：
1. *大可测倾角**：依托尼普科夫转盘共聚焦光学系统，*大可测倾角高达71.8°，远超常规白光干涉仪30°-40°的物理极限，可完整重建垂直陡壁形貌，无边缘数据缺失。
2. 检测精度：显示分辨率达0.1nm（亚纳米级），Z向重复性精度严格控制在≤12nm，远优于传统设备几十至百纳米的精度水平，精准捕捉弹坑深度的细微差异。
3. 检测能力：可稳定检测平均深度1.2-1.7μm的微观陡壁，*大可测深度达2.5-3.5μm，**覆盖主流芯片弹坑的深度测量需求。
4. 检测模式：纯光学非接触式检测，赫兹接触应力为0，完全避免晶圆划伤风险，适配脆弱IC表面的无损检测要求。
如需适配您的产线工况定制测量方案，欢迎联络中图仪器官方技术中心咨询。
VT6100中图仪器高分辨率共聚焦显微镜针对封装产线实测痛点打造，采用尼普科夫转盘共聚焦光学系统，非接触式扫描彻底消除赫兹接触应力风险；*大可测倾角达71.8°，可完整重建1.2-3.5μm深度的垂直陡壁弹坑形貌，0.1nm显示分辨率与≤12nm的Z向重复性精度，可精准输出弹坑三维截面数据。设备支持高频面阵扫描，匹配产线UPPH节拍要求，适用于封装制程弹坑深度批量检测、失效分析溯源、工艺参数优化等核心场景，为IC封装质量管控提供稳定可靠的计量支撑。
针对芯片弹坑大陡壁、粗糙面的测量难题，中图仪器高分辨率共聚焦显微镜从核心性能参数上实现**突破，各项指标均优于行业常规检测方案：
1. *大可测倾角**：依托尼普科夫转盘共聚焦光学系统，*大可测倾角高达71.8°，远超常规白光干涉仪30°-40°的物理极限，可完整重建垂直陡壁形貌，无边缘数据缺失。
2. 检测精度：显示分辨率达0.1nm（亚纳米级），Z向重复性精度严格控制在≤12nm，远优于传统设备几十至百纳米的精度水平，精准捕捉弹坑深度的细微差异。
3. 检测能力：可稳定检测平均深度1.2-1.7μm的微观陡壁，*大可测深度达2.5-3.5μm，**覆盖主流芯片弹坑的深度测量需求。
4. 检测模式：纯光学非接触式检测，赫兹接触应力为0，完全避免晶圆划伤风险，适配脆弱IC表面的无损检测要求。
如需适配您的产线工况定制测量方案，欢迎联络中图仪器官方技术中心咨询。