高频信号-直流电阻测试仪

对其温度性能进行了研究，文中针对几种不同结构和钝化材料的pin直流电阻测试仪二极管。直流高压发生器包括I区域载流子寿命与温度的关系、迁移率与温度的关系以及电阻与温度的关系，研究表白：pin二极管电阻的温度性能主要依赖于二极管结电容的大小。

1理论分析

pin二极管的电阻与正向电流以及半导体资料参数相关。可用简化表达式来表示微波工作状态下。

迁移率和载流子寿命与温度相直流电阻测试仪关，大电流发生器式中：W为I区的厚度；IF为正向电流；μ为I区双极迁移率μ=μn+μpτ为双极载流子寿命。式中。即对电阻的温度性能有影响。

1.1迁移率

但在一定的温度范围内，迁移率与温度的关系比力复杂。半导体体内的杂质已全部电离，本征激发还不十分明显时，载流子浓度基本不随温度变化，影响迁移率的诸多因素中，晶格散射起主要作用大的关系，击穿电压高二极管的寿命因子不一定大或小，而结电容相近的二极管，即便钝化方式不同，但却有着相近的m值。也就是说，结电容的大小对m值的影响*大。究其原因，结面积的大小直流电阻测试仪直接影响着二极管载流子的概况复合，对二极管在不同温度下载流子寿命的大小起着决定性的作用，即在式(1中，虽然没有结电容的因子，但式中载流子寿命τ与pin二极管的结面积密切相关，且随着pn结面积的减少而减小。

载流子寿命因子m与结电容的关系近似为线性关系。当结电容达到0．9pF时，由图2中的趋势线可以看出。载流子寿命因子m=1由式(4可知，此时二极管的电阻与温度的关系约为线性关系，即温度的上升，导致二极管电阻值的线性增加。m值小于2根据式(5得到微波pin二极管的温度系数是正值，温度上升，导致了二极管电阻的增加。

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模拟和数字布线战略的相似之处

旁路或去耦电容

模拟器件和数字器件都需要这些类型的电容，布线时。都需要靠近其电源引脚连接一个电容，此电容值通常为0.1mF系统供电电源侧需要另一类电容，通常此电容值大约为10mF

且要尽量靠近器件(对于0.1mF电容)或供电电源(直流电阻测试仪对于10mF电容)这些电容的位置如图1所示。电容取值范围为推荐值的1/10至10倍之间。直流电阻测试仪但引脚须较短。