TCD-H2O2本安型氧中氢分析仪

TCD-H2O2本安型氧中氢分析仪

TCD-H2O2本安型氧中氢分析仪是黛尔特（北京）科技有限公司设计的一款基于本安防爆设计的氢气检测设备，应用于电解水制取氢气场合。TCD-H2O2本安型氧中氢分析仪特别适合电解槽隔膜性能研和评价究和氢气安 全告警。该仪器采用新一代热导气体传感器，结构紧凑，支持嵌入式安装，具备信号远传与报警控制功能，可满足工业生产过程中对氢气浓度的安 全检测需求。

氧中氢浓度是电解槽运行安 全的核心指标。当氧中氢含量超过4%时，存在爆炸风险。因此，在线氧中氢分析仪通常与控制系统联动，设定多级报警阈值。质子交换膜或隔膜的完整性直接影响氧中氢含量。当膜出现破损、针孔或老化时，氢气渗透量会显著增加。因此，氧中氢分析仪是判断电解槽质子交换膜是否破损的重要依据。研究表明，通过监测氧中氢含量变化，可以识别电解槽的异常状态。完好单池与破损单池的氧中氢含量存在明显区别——破损单池阴极加背压时，氧中氢含量很高。这种基于氧中氢的监测手段，为电解槽的状态评估和预防性维护提供了重要依据。

TCD-H2O2本安型氧中氢分析仪技术参数

• 本安防爆设计：通过本安防爆认证，适用于具有爆炸风险的工业场合，确保在危险环境中的安 全运行。
• 高性能热导气体传感器：采用新一代热导气体传感器，具备响应迅速（T90在4秒左右）、测量准确和寿命8-10年的特点。
• 适配嵌入式安装需求
• 特别适合低于2000ppm及以下氧中氢测量
• 功耗低

• 标准MODBUS和4~20mA输出

新一代热导率气体浓度测量原理

TCD-H2O2本安型氧中氢分析采用TCD-5880新一代热导率气体浓度测量原理。TCD-5880是一款采用硅技术制造的热导率传感器测量芯片。热导率传感器芯片由2.50 x 3.33 mm、0.3 mm厚的硅边缘组成，其中形成了氮化硅膜。中心是一个加热器，有一个热电堆传感器元件测量其温度。热导率传感器敏感芯片芯片测量环境和膜中心之间的热导率，这取决于几个参数，如压力、气体类型和膜上的材料沉积。这种对物理参数的依赖性使热导率测量芯片TCG能够测量绝 对压力、气体类型和气体混合物成分等量。

TCD-5880-P2RW热导率氢气传感器芯片测量膜中心热电堆热结和芯片厚边缘冷结之间的热阻。这是通过使用加热器电阻器Rheat加热膜的中心来实现的。由此产生的中心温度升高由热电堆测量。实际温度升高取决于膜中心和环境之间的有效热阻，这受到膜热阻、环境气体热阻、任何存在的气体流量和（通常可以忽略不计）发射辐射等因素的影响。必须小心避免发生严重的辐射事故。

TCD-5880-P2RW的标准外壳是一个TO-5 10针接头，带有一个直径为5mm的带过滤器的盖子，其他外壳可应要求提供。 XEN-TCG3880Pt在芯片旁边的TO-5外壳上有一个B级Pt100铂温度传感器。

 TCD-H2O2本安型氧中氢分析仪尺寸图

TCD-H2O2本安型氧中氢分析仪发货清单