TCD-CH3Br和TCD-SO2F2快速响应硫酰氟传感器和溴甲烷传感器
-熏蒸气体传感器
常用的熏蒸剂主要包括溴甲烷(CH3Br)、硫酰氟(SO2F2)以及磷化氢(PH3)。在出入境检验检疫领域,溴甲烷和硫酰氟熏蒸气体的应用尤为广泛。随着全球化的加速,为防止潜在的林木检疫性害虫通过木质包装传入他国,许多国家已开始对木质包装实施除害处理措施。黛尔特(北京)科技有限公司研发和生产快速响应硫酰氟传感器和溴甲烷传感器
TCD-SO2F2硫酰氟传感器和TCD-CH3Br溴甲烷传感器是采用MEMS技术设计,通过直接物理方法测量气体热导率方式运行,不需要任何参考气体。溴甲烷和硫酰氟熏蒸气体传感器采用独特温度补偿的算法,可在-40℃~+60℃下保证测量准确度和重复性,且波动性很小。传感器功耗只有0.2W,是传统的热导原理传感器的1/100。TCD-SO2F2和TCD-CH3Br熏蒸气体传感器对被测气体中湿度进行修正,背景噪音在±50ppm,测量精度达到±1%FS。单只传感器通过配置,可以分别测量溴甲烷CH3Br和硫酰氟SO2F2气体,非常方便熏蒸气体分析仪开发。
TCD-CH3Br和TCD-SO2F2采用的专有的精密的电路设计, 极快响应时间,T90只有3秒(@1L/分钟),达到读数稳定的时间T100为8秒,从开机到测量工作结束大约需要在20分钟内完成,极大地提高了测量效率。TCD-SO2F2和TCD-CH3Br传感器的寿命通常为8-10年其长寿命得益于专有的电路设计、低维护需求(通常只需零点校准)以及耐压(Max. 2.5 bar绝压)等特性。相比之下,而红外传感器(如NDIR技术)寿命5年左右,接近红外传感器的两倍。
黛尔特公司硫酰氟传感器和溴甲烷传感器产品特点:
l 超快速响应,T90约3秒
l 功耗小,约0.2W
l 温度补偿并输出,无需加热恒温并等待。
l 湿度补偿并输出,湿度对测量影响小。
l 流量补偿热导芯片设计,流量对测量影响小
l 背景噪音小,约±50ppm
l 同时测量熏蒸气体(CH3Br和SO2F2)浓度、相对湿度(RH)和温度三个参数
l 长期漂移小,通常只需零点校准
l 耐压(Max.):2.5 bar绝压
l 8-10年长寿命,低维护
黛尔特公司SO2F2传感器和CH3Br传感器技术参数
1、一般特性
测量参数
CH3Br溴甲烷和SO2F2硫酰氟熏蒸气体、相对湿度RH和温度T
测量原理
MEMS热导式
测量范围
CH3Br:0-160 g/m3
SO2F2:0-160 g/m3
湿度:0-100%RH
温度:-50~+90℃
尺寸
75 (长)x 36(宽)x 25 mm(高)
气路连接
4 x 6 mm
耐压
2.5 bar绝压
安装
4个M3螺钉
重量
100 g
2、技术参数
线性误差
CH3Br:±1%FS
SO2F2:±1%FS
RH: ±2% RH
T: ±1.5℃
流量
0.1~1.0L/min,校准流量 0.25L/min
响应时间
T90:3s (@1000mL/min)
读数稳定时间T100:8s (@1000mL/min)
重复性(相对标准偏差)
±0.5%FS
Min.检出限
0.03%FS
分辨率
0.01 g/m3
长期稳定性(零点)
≤±1%FS/年
长期稳定性(量程)
3、电气特性
供电电压
5VDC ±5%
工作电流
0.2 W
输出信号
0.5~2.5VDC和5V TTL
启动时间
0.3秒,无需加热恒温等待
数据更新速率
2 Hz
平均值滤波
可设置,off,2,4,6,8,16
4、环境条件:
工作湿度
0%~95%RH (无结露)
补偿温度
-40~+85℃
储存温度
*:以上典型值是基于(101.3kPa,25℃,1.0L/min流量下的无结露的洁净气体)环境下测得。
5、背景噪音曲线:
背景噪音小,约±50ppm
6、温度和湿度影响曲线:
在85℃+20%RH(130000PPM H2O湿度下)熏蒸气体的变化为-0.03% (-3000PPM)左右
黛尔特公司硫酰氟传感器和溴甲烷传感器外形尺寸
热导气体传感器工作原理
黛尔特公司TCD-5880是一款采用硅技术制造的热导率传感器测量芯片。传感器芯片由2.50 x 3.33 mm、0.3 mm厚的硅边缘组成,其中形成了氮化硅膜。中心是一个加热器,有一个热电堆传感器元件测量其温度。TCD-5880热导率传感器敏感芯片芯片测量环境和膜中心之间的热导率,这取决于几个参数,如压力、气体类型和膜上的材料沉积。这种对物理参数的依赖性使热导率测量芯片能够测量绝 对压力、气体类型和气体混合物成分等量。
TCD-5880-P2RW的标准外壳是一个TO-5 10针接头,带有一个直径为5mm的带过滤器的盖子,其他外壳可应要求提供。 XEN-TCG3880Pt在芯片旁边的TO-5外壳上有一个B级Pt100铂温度传感器。热导率传感器芯片测量膜中心热电堆热结和芯片厚边缘冷结之间的热阻。这是通过使用加热器电阻器Rheat加热膜的中心来实现的。由此产生的中心温度升高由热电堆测量。实际温度升高取决于膜中心和环境之间的有效热阻,这受到膜热阻、环境气体热阻、任何存在的气体流量和(通常可以忽略不计)发射辐射等因素的影响。
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