（PVT）是制备碳化硅（SiC）晶体的主流方法之一，PVT法生长SiC单晶，温度高达2300℃，生长过程需严格控制生长温度梯度，其温度控制系统为闭环控制，由红外测温仪、温控器、加热电源以及加热器（感应线圈）组成。
系统框图：
宇电AI系列人工智能调节器
1、AI-8x9系列
2、AI-MODBUS-TCP1-24VDC
成功应用于国内某半导体装备制造头部企业碳化硅长晶炉，该系统温度的控制，仪表兼容多类型输入/输出规格，具备可调的控制周期及报警功能，通讯兼容RS485及RS232，且可匹配外部TCP模块实现MODBUS-TCP便捷通讯。
温度控制效果：
温度控制效果：温度波动≤±0.5℃@2200℃，温度超调、稳定时间等指标均与英国竞品水平相当，经终端客户验证，可完全平替国外竞品，成功实现国产替代。