1) 恒定偏置LDO稳压器
传统上的超低IQ CMOS LDO使用恒定偏置(constant biasing)原理。这表示在能够提供的输出电流范围内，接地电流消耗保持相对恒定。如MC78LC或NCP551器件，各自的接地电流IGND(或静态电流IQ)分别为1.5 μA和4 μA。这些器件非常适合性能要求相对不那么严格的电池供电应用。它们的主要劣势是动态性能较差，如负载及线路瞬态、PSRR或输出噪声等。通常可以使用较大的输出电容来调节动态性能。图1显示了通过将输出电容由1 μF增加至100 μF来改善MC78LC的负载瞬态过冲及欠冲。
但提升输出电容COUT并不总是能够提供想要的性能，甚至还可能更麻烦，因可能需要增加额外保护二极管，或某些应用要求快速设定时间、小尺寸方案或小浪涌电流。在这些情况下，推荐使用后文提到的一些更新的LDO。
2) 正比例偏置LDO稳压器
为了改善恒定偏置(恒定IGND) LDO较弱的动态性能，一些相对较新器件的接地电流与输出电流成正比例地变化。这样的LDO有如安森美半导体的NCP4681及NCP4624，两者的典型静态电流分别为1 μA和2 μA。图2显示了正比例IGND LDO所使用的概念。这些器件被设计为在输出电流IOUT > 2 mA时IGND开始上升。这就确保LDO在轻载时的电流消耗实际上恒定，符合数据表中的IQ规格。
3) 自适应偏置LDO稳压器
为了同时提供**的动态参数及超低IQ，*新代的安森美半导体LDO应用了称作“自适应接地电流”的技术。这些稳压器使用特殊技巧来在某种输出电流电平提升接地电流，而不会损及轻载能效。正因为此，终端应用可以提供良好的负载/线路瞬态、PSRR及输出噪声性能的优势。带自适应偏置技术的IC有如NCP4587/NCP4589及NCP702，IQ分别为1.5 μA和9 μA。NCP702还在噪声方面进行了额外优化，100 Hz至100 kHz噪声带宽时的典型噪声仅为11.5 μVRMS。它非常适合于为要求长电池使用时间及小方案尺寸环境中的敏感模拟及射频电路供电。