技术参数

光谱范围,cm^-1 400–7800
光谱分辨率, cm^-1 1
样品中光斑直径, mm 6
*大的晶圆直径, mm 200
分析台定位精度, mm 　　　　　　　　　　　　　　0.5
单点标准分析时间, sec 　　　　　　　　　20
仪器尺寸, mm 　　　　　　　　　　　　　　670x650x250
仪器重量, kg 　　　　　　　　　　　　　　37

主要特点

WT221S型半导体晶片测定仪是基于 WT221型多功能傅立叶红外光谱仪开发的专用自动化分析系统。该晶片测定仪具备二维样品定位台，用于自动分析直径为50～300mm的晶片.　傅立叶红外技术是半导体晶片和结构非破坏有效分析方法.
WT221S型半导体晶片测定仪符合国际半导体设备与材料组织(SEMI)的相关标准

仪器介绍

应用：
1.硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法（晶圆厚度0.4～2mm）,浓度范围：
(5x1015–2x1018)±5x1015 см-3　国际标准: SEMI MF1188, 
Test Method for Interstitial Oxygen Content of Silicon by Infrared 
Absorption With Short Baseline);
2.硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法（晶圆厚度0.4～2mm）,检测范围：
(1016–5x1017)±1016 см-3国际标准:  SEMI MF1391 TEST METHOD FOR 
SUBSTITUTIONAL ATOMIC CARBON CONTENT OF SILICON BY INFRARED ABSORPTION
3.硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法　国际标准:SEMI MF951　 
Test Method for Determination if Radial Interstitial Oxygen Variation in
Silicon Wafers);
4.硅外延层厚度的分析 (国际标准:SEMI MF95　 Thickness of epitaxial layers
 for silicon n-n+ and p-p+ structures: (0.5–10)±0.1 µm, (10–200)±1% µm);
5.SOS体系硅外延层厚度的分析Thickness of silicon epitaxial layers in SOS 
structures:(0.1–10) ±0.01 μm
6.BPSG/PSG中硼/磷浓度的分析Boron and/or phosphorus concentration in BPSG/PSG 
onsilicon: (1–10) ±0.2 Wt%

分析方法

此仪器尚未上传分析方法

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