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选择电容的考虑因素
      在选择一个具体电容时，不仅要考虑其自谐振频率，还同样要考虑电容的介质材料工艺。电容产品中*常用的介质材料是BTC（Barium Titanite Ceramic）。这种材料有高的介电常数，能允许小体积的电容器有大的电容值。设计和制造工艺的差别，使其��谐振频率范围为1～20 MHz。工作频率超过自谐振频率后，由于介质的损耗因素变成主要因素，使得BTC的性能下降，*高使用频率为50 MHz。
　　另一种广泛使用的电介质材料是NPO（锶硝石），由于它的介电常数非常小，因此具有更好的高频特性和温度稳定性。与其他易受外界温度和环境变化的电容相比较，NPO的电容值在很宽泛的温度环境下基本保持不变。
　　VLSI及高速元件（如CMOS、EOL、BOT逻辑门器件）需要并联去耦电容。元器件的转换速率越陡峭，产生的射频电流频谱就越大。去耦电容的并联放一股用于过滤高频RF能量并能对电源板噪声产生旁路作用。多个成对电容围绕VLSI四周放在电源和接地引脚之间。在50 MHz系统下，*典型的高频去耦电容是0，1 pF与0．001 pF并联；在更高的时钟频率下则为0．01 pF与100 pF并联。
　　在PCB上1英寸（1英寸＝2．54厘米）的方格上放一个1 nF的电容（具有非常高的自激频率），能对信号线和电源板产生的RF电流给予额外的保护，尤其是在高密度分层的PCB上。虽然这些额外的去耦电容的放位置无法**计算，但从PCB的模板分析中可见，它们仍然需要继续 提供去耦旁路。根据PCB的谐振结构不同，方格上放的电容值可以小到从30~40pF下等。
电容的自谐振频率 寄生电感会与电容产生串联谐振，即自谐振，在自谐振频率fo处，去耦电容呈现的阻抗*小，去耦效果*好。但对频率f高于fo的噪声成份，去耦电容呈电感性，阻抗随频率的升高而变大，使去耦或旁路作用大大下降。实践中，应根据噪声的*高频率fmax来选择去耦电容的自谐振频率f0，*佳取值为fo=fmax。 根据LC电路串联谐振的原理，谐振点不仅与电感有关，还与电容值有关，电容越大，谐振点越低。许多人认为电容器的容值越大，滤波效果越好，这是一 种误解。

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