热成像仪是从对红外线敏感的光敏元件上发展而来,但是光敏元件只能判断有没有红外线,无法呈现出图像。在**次世界大战中交战各国对热成像仪的**用途表现出了兴趣,对其进行了零星的研究和小规模应用。1952年,锑化铟被开发出来,这种新的半导体材料促进了红外线热成像仪的进一步发展。不久之后,德州仪器公司开发出了具有实用价值的前视红外线(Forward looking infrared)热成像仪。这一系统采用的是单原件感光,利用机械装置控制镜片转动,将光线反射到感光元件上。随着碲镉汞材料制造工艺的成熟,在**领域大规模采用热成像仪成为了可能。60年代之后出现了由60或更多的感光元件组成的线性整列,瑞典的AGA公司将热成像仪的应用拓展至民用领域发展。然而由于*初采用的是非制冷感光元件,制冷部件加上机械扫描机构使得整个系统非常庞大。等到CCD技术成熟之后,焦平面阵列式热成像仪取代了机械扫描式热成像仪。至80年代半导体制冷技术取代了液氮、压缩机制冷之后开始出现了便携、手持的热成像仪。90年代之后,国外仪器又开发出了基于非晶硅的非制冷红外焦平面阵列,进一步降低了热成像仪的生产成本。
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