（半导体）快速退火炉的快速热处理技术是发展很快的半导体工艺新技术。该设备具有升温速度快、密封好、温度范围宽、实验方便等特点。可用于硅及化合物半导体材料离子注入后的退火，硅化物的形成，欧姆接触制备以及快速氧化，快速氮化等方面。
内胆尺寸：宽530*深430*高220mm，外形尺寸（约）：宽 920 *深900 *高 740 mm。温度范围：室温～+450℃可调（根据加热板实际热承受能力而定），加热方式：采用铸铝加热板，温度波动度：≤±1℃。温度均匀度：测温探头的精度为±0.5℃，控温点在加热板上部对角两点及测温的侧面一点， （恒温空载状态下）（加热板的温度均匀性±1℃）。升温速率：≤8℃/min .空载时升温速度：室温到200℃在8分钟内到达，外壳温度温升不超过环境+25℃门周边除外。电源三相五线制、380V、50HZ。总功率20KW，使用功率16KW。外壳材料外层A3厚2.0冷板。内胆材料采用5mm厚SUS304不锈钢板制作。
（半导体）快速退火炉的保温材料：采用1400型纤维毯保温，具有不可燃烧，隔热性强等特点，厚度为60mm。烟气隔离罩炉体左右后三个面用亚克力板围起来，炉体正面做对开式门，四周用玻璃胶密封，开炉时可让烟气有效排除。密封材料密封条采用直径10mm发泡硅胶条制作，可耐温不变形，门与内胆采用单层密封形式，加强密封效果。门上配两个圆形观察窗，炉门密封圈不易老化和烧坏，真空门装有电脑控制气缸开启和关闭（闭合传感器，确定门关闭）可90度运动。观察窗采用圆形观察窗口，观察窗直径80，生产过程一目了然。
控制系统的加热部分采用导热板加热，带水冷急速冷却。冷却部分的炉口方管及加热板。电箱电箱与烘箱分离安装，抽真空箱体抽气口加装电磁阀阀（带过滤器）直径100*180mm。氮气部分的氮气，需加电磁阀控制，气管管径直径8mm，设备侧面设有氮气接口和甲酸接口，并用一个三通的常闭电磁阀，其后再接一个电磁阀，以控制进入腔体的气体量，电磁阀使用方向按客户要求进出气方向安装。温控部分采用微电脑智能型温控器，控制器：采用台湾琦胜HM-782S触摸屏，精度高，稳定性好，设有手动，自动，工业设定等功能，配日本三菱PLC控制器（FX2N-48MR）,与台湾琦胜（型号PLL-2010-002A）可编程控制器通讯控制，能控制显示3个温区并能阶梯式程序升温，预留3个控温探头。流程合门锁---抽真空---充氮气---自动加热---温度曲线---高温抽真空---真空泵停止---冷却降温---停止充氮---电子门锁---取料完成（供方负责加工，需方负责编程设计）。温度传感器：搁板两个感温探头预留在加热板顶部对角处，加热板侧面配一个超温的感温探头，K型探头PID温度控制器需使用3个台湾琦胜温控器，2个程序表，1个显示表。自动恒温的温控器可根据用户设定的温度值，采用PID自动计算输出功率的大小，越接近温度设定值时，输出功率越小，以达到恒温控制的目的，并可节能省电。真空度采用数显ZDZ-52T/E 电阻真空计，传感器采用成都睿宝品牌，10分钟内抽至20pa，20分钟内漏率80pa。电磁阀：（上海西马特）电磁阀，1：真空挡板阀GDQ-7/KF16KF,2：截止阀（氮气充甲酸、水、空气GDC-A）3：压差式充气阀CYC-JQ
（半导体）快速退火炉接地保护结构件**接地保护。电源缺相、相序保护配有相序保护器，环境温度-5℃-40℃。相对湿度≤85%RH，电源AC380V±10%，50Hz。保护气体，为了保护样品和热电偶在高温时不氧化，应在样品盒中通入保护气体，再次装上样品后，关上前盖并锁紧，稍等几分钟。让保护气体充满样品盒再启动。保护气体流量为2~3L/min，*大不超过5L/min。