N沟纵向MOSFET BLV108 BLV108
产品简介
上海图一BLV108是一款N沟增强型VDMOS,高速开关,无二次击穿,BLV108产品主要应用于:电话机电路,继电器电路,驱动电路等.BLV108工作于25℃,其漏源电压Vdss*大为200V,栅源电压Vgss极限值为±20V.
产品详细信息
BLV108特性:
** 漏源电压Vdss极限值:200V
** 栅源电压Vgss极限值: ±20V
** 漏电流Id为300mA
** 结温度和存储温度为:-50℃-- +150℃
** BLV108封装方式:TO92