770nm可调谐激光管 770nm PH770DBR

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产品型号:770nm PH770DBR
 牌:photodigm
公司名称:OEWindow
  地:北京海淀
发布时间:2012-11-19
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产品简介

770nm可调谐激光管是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成,主要应用于K原子冷却、K原子精密谱线研究、K原子泵浦等领域。770nm可调谐激光管线宽小于1MHz、输出功率40-80mW,无跳模调谐范围宽,稳定性好,目前国内外的多家实验室都在使用。DBR激光二极管可以提供多种封装形式:C-mount、CS封装、TO-8封装、蝶形封装、TOSA封装等,调制频率可达6.8GHz(for putting sidebands on the laser)。

产品详细信息


www.photodigm.com 


PH770DBR

770nm系列

高功率、单频输出激光二极管

核心技术:                      

1DBR单频激光芯片;(2AlGaAs 量子阱有源层。

产品特点:

1)高功率,单频输出;(2)激光线宽小于1MHz;(3)多种封装形式;(4)无跳模调谐范围宽;(5)使用寿命长;(6)可提供纳秒或皮秒脉冲输出。(7)调制频率可达6.8GHz(for putting sidebands on the laser)。

 

PH770DBR系列高功率激光二极管是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成。它可以提供衍射极限且单纵模输出的激光光束,主要应用于K原子精密谱线研究等领域。DBR激光二极管将光栅放置于激光有源层的一端,可有效避免二极管工作时电流对光栅造成的冲击,能够充分保证激光二极管的使用寿命和稳定性。另外,DBR激光二极管采用单步分子束外延生长而成,使生产成本更加低廉,并且保证了低内部损耗和高输出功率。

 

技术参数:

储存温度

0-80

工作温度

5-70

正向电流(连续模式输出)

70-150mA

正向电流(脉冲模式输出),T=25

脉冲宽度:300ns

 

0.3A

激光反向电压

0.0V

光电二极管正向电流 1/2/

5.0mA

光电二极管反向电压 1/2/

20.0V

光电二极管暗电流,VR=10V1/2/

50nA

TEC电流 1/2/

-1.8—1.8A

TEC电压 1/2/

-1.9—1.9V

热敏电阻电流 1/2/

1.0mA

热敏电阻电压 1/2/

10V

连续模式输出技术参数(T=25℃)

中心波长

770nm(Typ.)

输出功率

4080mW

斜率效率(蝶形封装)

0.36W/A

斜率效率(TO-8封装)

0.75W/A

阈值电流

50mA

激光二极管电阻值

2.0Ω

正向电压

2.0V

热敏电阻阻值@25℃,1/2/

10KΩ

光电二极管暗电流,VR=10V1/2/

50nA

激光线宽

0.7MHz

温度调谐系数

30GHz/

电流调谐系数

1.3GHz/mA

偏振消光比,1/

-19dB

光束发散角@FWHM

6x26°

边模抑制比

-30dBMin

激光偏振

TE

模式结构

基模

1/蝶形封装   2/TO-8封装

 

注意事项:

此激光二极管是静电敏感器件,操作时请注意接地保护和佩戴静电手环。存储时请将各管脚短接在一起并放入防静电的容器内。


多种封装形式供选择


770nm可调谐激光管LIV曲线

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