铑铁热电阻普遍采用铑+0.5ø摩尔分数)铁的合金制成，有较好的低温特性，常驻用的测量范围为0。3~20K，恰好弥补了铂电阻的不足。
铂铁热电阻有较高的灵敏度，较好的稳定性，缺点是电阻丝的均匀性差。
铑铁热电阻的结构，其结构的形状与低温精密铂热电阻碍一样。这种低温热电阻的技术革新参数为R273=25Ω，复现性(在一年内)为±0.5mK，内充3.4×104Pa氮气。
锗热电阻
锗热电阻是在锗中掺以合适的杂质(如砷、镓、锑等)而制成的，属于半导体温度计，锗热电阻在低温下有较大的负温度系数，其灵敏度很高，测温范围可达0。1~100K。
锗热电阻具有复性好，热容小、自热小、机械强度好、响应时间性快等优点。在低温领域的科学研究中，经常用于精密测温。锗热电阻碍的缺点是磁阻效应大，互换性较差。
锗热电阻的结构，感受温锗单晶片用连接线焊接在引线上材料为铂的外壳和材料为低温玻璃的底座封接在一起，结构很间单。
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